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超声喷雾热解法制备ito薄膜

时间:2025-04-09     【原创】

  超声喷雾热解法(UltrasonicSprayPyrolysis,USP)是一种制备氧化铟锡(ITO)薄膜的常用方法,结合

了溶液喷雾和高温热解技术,具有成分可控、均匀性好、设备简单等优点。以下是制备过程的详细步骤和关键参数:

       超声波喷涂仪500E.jpg

  1.实验材料与设备


  前驱体溶液:


  铟源:常用三氯化铟(InCl₃)或硝酸铟(In(NO₃)₃)。


  锡源:氯化锡(SnCl₄)或醋酸锡(Sn(CH₃COO)₄),掺杂比例通常为5-10wt%(Sn/In)。


  溶剂:去离子水、乙醇或混合溶剂(需保证前驱体完全溶解)。


  添加剂:乙酰丙酮(稳定剂)、盐酸或硝酸(调节pH,防止水解)。


  设备:


  超声雾化器(频率通常为1-3MHz,产生微米级液滴)。


  管式炉(热解温度400-600℃)。


  载气系统(氮气或空气,流量0.5-2L/min)。


  基底(玻璃、硅片等,需预先清洗)。


  2.制备流程


  前驱体溶液配制:


  将In盐和Sn盐按比例溶解于溶剂中,搅拌至透明,过滤去除杂质。


  示例配方:0.1MInCl₃+5%SnCl₄(摩尔比),溶剂为水:乙醇=1:1。


  超声雾化:


  溶液通过超声雾化器产生细小液滴(直径1-10μm),由载气带入反应区。


  热解反应:


  溶剂蒸发:低温区(~200℃)去除溶剂。


  前驱体分解:中温区(300-400℃)盐类分解为氧化物。


  结晶与掺杂:高温区(450-600℃)形成立方铁锰矿结构的ITO薄膜。


  液滴在管式炉中经历以下步骤:


  基底沉积:


  热解后的纳米颗粒沉积在预热基底上(基底温度影响薄膜致密性)。


  后处理(可选):


  退火:在还原气氛(H₂/Ar)中退火(200-400℃),提高导电性。


  3.关键参数优化


  温度:


  热解温度过低会导致有机物残留,过高可能引起晶粒粗化。最佳范围:450-550℃。


  载气流量:


  过高流量导致颗粒停留时间短,反应不完全;过低则易堵塞。推荐:1-1.5L/min。


  掺杂浓度:


  Sn过量(>10%)可能形成SnO₂相,降低导电性。


  基底选择与预处理:


  玻璃需超声清洗(丙酮、乙醇、去离子水),避免表面污染。


  4.薄膜性能表征


  电学性能:四探针法测电阻率(最优可达10⁻⁴Ω·cm)。


  光学性能:紫外-可见分光光度计测透光率(>80%@550nm)。


  形貌分析:SEM观察表面均匀性,XRD确定结晶性((222)峰为主)。


  成分分析:EDS或XPS验证Sn掺杂量及氧空位浓度。


  5.常见问题与解决


  薄膜不均匀:


  原因:雾化液滴大小不均或载气流速不稳定。


  解决:优化超声频率,使用惰性载气(如N₂)。


  导电性差:


  原因:氧空位不足或Sn未有效掺杂。


  解决:后处理退火或在前驱体中添加还原剂(如尿素)。


  裂纹或脱落:


  原因:热应力过大或基底附着力差。


  解决:降低升温速率,或对基底进行氧等离子处理。


  6.应用与优势


  应用:柔性显示器、太阳能电池透明电极、触摸屏。


  优势:无需真空设备,适合大面积沉积,成分易调控。


  通过优化上述参数,超声喷雾热解法可制备高性能ITO薄膜,平衡导电性与透光性。如需进一步改进,可尝

试复合掺杂(如Zn、Ga)或引入多层结构。


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