在半导体制造产业体系中，光刻工艺作为实现微纳尺度图形化加工的核心技术手段，其技术水平直接决定集成电路芯

片的性能参数与集成密度。作为光刻工艺流程中的前置关键环节，光刻胶涂覆质量对后续曝光显影工艺的图形转移精度及

分辨率具有决定性影响。

　　面向复杂三维异构集成需求及先进制程节点的特征尺寸微缩趋势，传统旋涂、喷涂等涂覆技术面临胶层厚度均一性偏

差、材料利用率低等技术挑战，难以满足当前半导体制造向5nm及以下制程工艺演进的严苛技术指标要求。

　　超声波喷涂技术基于高频超声振动引发的空化现象，通过声能驱动光刻胶溶液完成雾化过程，形成粒径处于纳米级别的

均匀液滴群。在可控的气动传输系统协同作用下，该技术实现了晶圆表面的高精度薄膜沉积。

　　其独特优势体现在对复杂三维结构的卓越适应性：针对具有深沟槽、高纵横比特征的微纳结构，以及不同物理化学性质的

基底材料，均能实现无死角涂覆，有效克服了传统旋涂工艺中普遍存在的边缘效应和局部胶层堆积问题。所制备的光刻胶薄膜

在厚度均匀性和表面粗糙度方面表现优异，为后续光刻工艺中的图形转移提供了高精度的模板，显著拓宽了工艺窗口的容错范围。

　　此外，通过对雾化颗粒尺寸分布和喷涂流量的闭环反馈控制，该技术可将光刻胶材料利用率提升30%-50%，不仅降低了

单位芯片的制造成本，还通过减少光刻胶废弃物排放，推动半导体制造向绿色可持续方向发展。

　　在半导体产业向高集成度、微纳级特征尺寸持续演进的技术驱动下，超声波喷涂技术凭借其独特的雾化沉积机制，已成为

提升芯片制造过程中工艺稳定性与产品良率的关键技术路径。

　　随着工艺参数优化体系的逐步完善及装备智能化水平的迭代升级，该技术在EUV光刻胶精密涂覆等前沿领域展现出显著的

技术潜力，有望为半导体先进制程的突破及规模化量产提供创新性工艺解决方案。