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超声喷涂技术制备TiO₂电子传输层

时间:2025-08-15     【原创】

  超声喷涂技术制备TiO₂电子传输层(ETL)时,需兼顾其光电性能(高电子迁移率、低缺陷态)与薄膜质量

(均匀性、致密度、与基底附着力),尤其适用于钙钛矿太阳能电池、染料敏化电池等器件。以下是关键技术要点:


  一、TiO₂前驱体溶液的精准配制


  前驱体溶液的稳定性与化学特性直接影响TiO₂的结晶性与电子传输能力,需重点调控:


  1.钛源与溶剂选择


  –钛源:常用钛酸四丁酯(TBOT)、钛酸四异丙酯(TTIP)或无机钛盐(如硝酸氧钛),其中TBOT因水解

可控性强为优选;


  –溶剂体系:采用醇类混合溶剂(如乙醇:异丙醇=3:1体积比),添加5–10vol%乙酸(延缓水解,避免过快

生成TiO₂颗粒),或少量去离子水(0.5–1vol%,促进适度水解形成溶胶)。


  2.溶液参数优化


  –浓度:钛源浓度控制在0.05–0.3mol/L(过低导致薄膜不连续,过高易堵塞喷头或形成厚膜裂纹);


  –粘度与pH:粘度需在2–10mPa·s(通过溶剂比例调节),pH调至2–4(用稀盐酸或硝酸,抑制过度水解团聚);


  –稳定性处理:溶液配制后需磁力搅拌30分钟,静置老化2–4小时(形成稳定溶胶),使用前经0.22μm滤头

过滤(去除未溶物)。


  二、基底预处理与适配性


  TiO₂电子传输层需与基底(如FTO、ITO玻璃或柔性导电基底)形成良好欧姆接触,预处理需满足:


  1.通用清洁流程


  –依次用中性洗涤剂、去离子水、丙酮、乙醇各超声清洗15分钟(功率≤100W),氮气吹干;


  –基底为导电玻璃(FTO/ITO)时,额外进行UV-臭氧处理20分钟或氧气等离子体刻蚀(50W,3分钟),

去除表面有机物,暴露活性位点(如FTO表面的Sn⁴⁺)。


  2.特殊基底处理


  –柔性基底(如ITO/PET):避免高温处理,预处理温度≤60°C,等离子体功率降至30W(防止基底变形);


  –多孔基底(如TiO₂介孔层):需预先干燥(80°C,10分钟),确保孔道无水分,避免影响前驱体渗透。


  三、超声喷涂核心参数调控


  通过参数协同实现TiO₂薄膜的均匀沉积与可控厚度(通常20–100nm,致密层需求):


  1.雾化与沉积参数


  –超声频率:选用40–60kHz(低频利于溶胶分散,避免团聚,形成均匀涂层);


  –功率与流量:功率3–6W,溶液流量0.2–0.8mL/min(实验室规模,基底10×10cm²),功率过高铁源易水

解过快,导致涂层粗糙;


  –喷头配置:喷头与基底间距4–6cm,移动速度5–15mm/s,载气(氮气)压力0.05–0.1MPa(气流需稳定,

避免雾流紊乱导致的厚度波动)。


  2.多层沉积策略


  –采用“薄涂多次”(3–5次),每次涂布后室温干燥1分钟,再进行下一次,总厚度通过次数精准控制

(单次厚度5–20nm);


  –层间可轻微加热(40–60°C,30秒)促进溶剂挥发,避免层间混合导致的成分不均。

         钙钛矿太阳能电池水下测试展现独特性能.jpg

  四、后处理与结晶调控


  TiO₂需经退火形成锐钛矿相(电子迁移率最高),工艺需匹配基底耐温性:


  1.退火工艺


  –刚性基底(玻璃):


  分步退火:100°C(10分钟,去除残留溶剂)→450–500°C(30分钟,诱导锐钛矿结晶),升温速率5°C/min;


  –柔性基底(PET/PI):


  低温结晶:120–150°C(60分钟)+紫外光照射(λ=365nm,功率100mW/cm²,30分钟),通过

光催化辅助结晶(替代高温)。


  2.结晶质量提升


  –退火氛围:空气或氧气氛围(促进Ti⁴⁺稳定,减少氧空位缺陷);


  –添加剂辅助:前驱体中添加0.1–0.5mol%的Zn²⁺或Nb⁵⁺离子(如硝酸锌、硝酸铌),可细化晶粒

(尺寸5–20nm),提升电子迁移率(>1cm²/(V·s))。


  五、性能验证指标


  –形貌:SEM观察薄膜连续无针孔,AFM检测粗糙度Ra<5nm;


  –结晶性:XRD在2θ=25.3°(锐钛矿(101)晶面)有强衍射峰,无金红石相(27.4°);


  –光电性能:暗态电导率>10⁻⁴S/cm,光致发光淬灭效率>90%(与钙钛矿层匹配时)。


  超声喷涂制备TiO₂电子传输层的核心是“前驱体稳定性-雾化均匀性-结晶可控性”的协同:通过优化

溶胶配方抑制过度水解,调控超声参数实现均匀沉积,结合基底适配的退火工艺诱导锐钛矿相形成。该技

术适用于大面积器件制备,关键在于平衡薄膜致密度与电子传输性能,同时通过掺杂与氛围控制减少缺

陷,提升器件整体效率。


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