导电层主要承担电流传输与电路互联功能，需平衡高导电性与高温结合强度的矛盾。同时作为陶瓷-铜箔界面

的应力缓冲层，必须解决热膨胀系数（CTE）失配问题。高频应用中还需克服表面粗糙度引发的趋肤效应损耗。

　　制备工艺全流程

　　1.导电材料选择

　　铜粉：电导率≥58MS/m，成本低，适用于大电流主电路层。

　　银粉：电导率＞61MS/m，抗氧化性强，用于高频信号层及电极接触区。

　　银铜复合粉：CTE可设计为8-12ppm/K，适配高CTE陶瓷基板（如氧化铝）。

　　*关键参数*：粒径范围0.5-5μm（D50），球形粉占比＞90%以提升印刷流平性。

　　2.导电浆料制备

　　有机载体配方：环氧树脂与乙基纤维素按7:3配比，松油醇溶剂占比40-50%，粘度控制3000±200cps。

　　分散工艺：粉体经真空除氧后与有机载体混合，通过三辊研磨＞10遍，细度≤5μm（Hegman计检测）。

　　3.印刷与图形化

　　厚膜丝印：最小线宽/间距≥50μm，需网版张力＞25N/cm²防形变。

　　激光直写光刻：最小线宽/间距≥10μm，采用曝光能量梯度补偿防侧蚀。

　　喷墨打印：适用曲面基板，浆料固含＞65%可抑制咖啡环效应。

　　*关键指标*：导电层厚度15±2μm，表面粗糙度Ra＜1μm。

　　4.低温共烧（LTCC）与高温烧结

　　梯度烧结曲线（铜浆示例）：

　　室温→350℃（5℃/min）：脱除有机物

　　350℃→850℃（2℃/min）：还原铜粉表面氧化物

　　850℃→950℃（1℃/min）：颗粒颈缩致密化

　　950℃保温30min：形成连续导电网络

　　*气氛控制*：铜浆采用N₂-H₂（95:5）混合气（氧分压＜10ppm）；银浆空气烧结需添加抗迁移剂。

　　5.微观结构优化

　　界面孔洞控制：添加0.5wt%TiH₂，原位生成活性钛提升润湿性。

　　导电层防开裂：采用Cu@Ag核壳复合粉体缓解CTE失配应力。

　　高频损耗抑制：表面化学镀镍2-3μm，降低趋肤效应损耗。

　　性能验证标准

　　电学性能：方阻≤5mΩ/□（20μm厚），电流承载＞100A/cm²（85℃）。

　　机械性能：剥离强度＞15N/mm（IPC-TM-6502.4.8），热循环（-55℃↔150℃）1000次电阻变化＜3%。

　　可靠性：高温高湿（85℃/85%RH）1000小时无迁移短路。

　　技术演进方向

　　纳米银烧结：烧结温度＜250℃，兼容热敏元件。

　　陶瓷表面活化：Ar/O₂等离子处理提升结合强度30%；激光微织构形成锚定结构（结合力＞20N/mm）。

　　嵌入式电路：将导电层埋入陶瓷介质，提升布线密度。

　　应用价值

　　导电层的低阻值（＜3μΩ·cm）、高附着力及抗热疲劳特性，直接决定AMB覆铜板在IGBT模块、车规电控单元

中的服役寿命。银铜复合浆料结合激光表面改性技术已达国际先进水平。

　　采用超声波喷涂机喷涂的活性金属导电涂层，致密度可达95%以上，涂层表面粗糙度低于Ra0.5μm，有效减少

了电子传输过程中的散射损耗。同时，涂层的厚度控制精度可达到±1μm，满足不同功率等级器件对导电涂层厚度的

差异化需求。经过活性金属钎焊后，涂层与氮化硅陶瓷基板的剥离强度超过20MPa，在–55℃至125℃的冷热冲击循

环试验中，涂层无开裂、脱落现象，展现出优异的可靠性，完全满足高端功率电子器件长期稳定运行的要求。