超声波喷涂技术在屏蔽材料和半导体等电子产品领域有广泛应用，以下是具体介绍：

　　超声波喷涂屏蔽材料

　　超声波喷涂技术可用于制备电磁干扰（EMI）屏蔽涂层。在移动设备制造中，将高性能银EMI屏蔽喷漆材料应用于超声波

喷涂机的全自动XYZ运动喷涂系统，可实现包装级EMI屏蔽。超声波喷涂的优势在于能使颗粒在薄膜层中均匀分散，避免导电

颗粒沉降，从而让涂层具有良好的表面导电性，可对小型装置进行高效屏蔽。同时，该技术能实现几何形状的完全薄膜覆盖，

顶部表面与侧壁厚度比率较为理想，且具有高吞吐量的特点，还能在一定程度上节约成本。

　　超声波喷涂在半导体电子产品中的应用

　　硅片表面涂覆：在半导体制造中，硅片表面的精密涂覆是关键工艺的前置环节。超声波硅片喷涂技术具有非接触特性，可

避免滚涂工艺中海绵滚轮压碎硅片的风险，降低碎片率。其涂层厚度范围宽（20nm-100μm），均匀性＞95%，台阶覆盖率优

异，适用于硅通孔（TSV）等三维结构。而且溶液转换率高达95%，可减少光刻胶等昂贵材料的消耗。

　　晶圆制造与光刻工艺：在TSV硅通孔工艺中，超声波喷涂可精准覆盖深宽比10：1的通孔内壁，光刻胶孔底覆盖率＞92%，避

免传统旋涂的孔底缺失问题，降低电镀短路风险。同时，超声雾化可将光刻胶破碎为1-50μm微滴，使涂层均匀性＞95%，避免

“咖啡环”边缘增厚现象。

　　扇出型封装：在重组晶圆表面喷涂介电材料（如BCB胶）时，超声波喷涂技术可实现微米级线路间隙填充，提升再分布层（RDL）

的绝缘性与机械强度。

　　碳化硅晶圆处理：通过均匀喷涂抗反射涂层（ARC），可提升碳化硅（SiC）功率器件光刻精度，解决高折射率材料的光反射干扰问题。

　　芯片封装：在5G功率芯片基板喷涂氮化铝陶瓷绝缘层，其热导率＞180W/(m・K)，较传统聚合物材料提升10倍，能有效解决高密度

集成电路的散热难题。

　　MEMS传感器制造：通过超声波喷涂5μm厚度的氧化锆陶瓷敏感层，可使传感器响应时间从10ms缩短至1ms，精度提升至0.1%FS，

满足自动驾驶激光雷达等的严苛要求。